주식회사 엠디엠
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전력반도체 고집적 패키징 모듈(GaN Module)

Half Bridge Power Module

전력밀도 50kW/L 이상의 고전압 전력반도체 패키징 모듈로써 일반적인 Discrete 타입의 반도체
소자의 부피를 줄이고, 최적의 방열기술을 적용한 고집적 패키징 전력반도체 모듈

제품사양 Spec Details

  • Voltage

    650V (Max 1,700V)

  • Current

    60A (Max 150A)

  • Gate Voltage

    -10V to 7V

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